Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFZ34NS

MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFZ34NS

IRFZ34NS Hakkında

IRFZ34NS, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 40mΩ maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde) sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen IRFZ34NS, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 68W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile yüksek akım yönetiminde güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok