Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFZ10PBF
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFZ10
IRFZ10PBF Hakkında
IRFZ10PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 60V drain-source voltajında 10A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlı güç kaynakları ve endüstriyel sürücü devreleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır. 10V gate sürüş voltajında 200mΩ on-direnci ve 11nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Through-hole montajı nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında uygulanabilir ve 43W maksimum güç dağılımı yönetebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok