Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFZ10
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFZ10
IRFZ10 Hakkında
IRFZ10, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200mOhm'luk düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybı minimize edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 43W güç yayabilir. Gate threshold gerilimi 4V'tur. Gate charge değeri 11nC olup, hızlı anahtarlama gerektiren devreler için uygundur. Endüstriyel kontrol, motor sürücüler ve güç dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Bileşen artık üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok