Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFW840BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFW840
IRFW840BTM Hakkında
IRFW840BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 500V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajında 800mΩ on-resistance özelliğine sahiptir. TO-263 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 134W güç dağıtabilir. 53nC gate charge ve 1800pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 134W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok