Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFW820BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFW820
IRFW820BTM Hakkında
IRFW820BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paket tipinde sunulan bileşen, düşük RDS(on) değeri (2.6Ω) sayesinde enerji dönüşüm devrelerinde, SMPS (Switch Mode Power Supply) sistemlerinde, motor kontrol devreleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan transistör, endüstriyel ve ticari elektronik sistemlerde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok