Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFW740BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFW740B
IRFW740BTM Hakkında
IRFW740BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 400V drain-source voltaj ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığı ve 3.13W tesisat gücü, geniş uygulama yelpazesini destekler. 540mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 134W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok