Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFW730BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFW730
IRFW730BTM Hakkında
IRFW730BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilim ve 5.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, elektrik anahtarı uygulamalarında, AC/DC güç dönüştürücülerinde, motor kontrolü devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 1Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate şarj 33nC ve 1000pF giriş kapasitansı ile hızlı komutasyon özelliği vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 73W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok