Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFW720BTMNL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFW720
IRFW720BTMNL Hakkında
IRFW720BTMNL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilim (Vdss) ve 3.3A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 1.75Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürücü gerilimi ile uyumlu olup, ±30V maksimum gate gerilim aralığında çalışabilir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur ve -55°C ile 150°C arasında çalışır. 49W maksimum güç yayımı kapasitesi (Tc'de) ile güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve motor sürücülerinde kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 1.65A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok