Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFW720BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFW720B
IRFW720BTM Hakkında
IRFW720BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç kontrolü uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 1.75Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük konturma kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları, güç yönetimi devreler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 18nC gate charge ve 600pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 1.65A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok