Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFW644BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFW644B
IRFW644BTM Hakkında
IRFW644BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 10V kapı geriliminde 280mOhm RDS(on) değerine sahip olup, güç dönüştürme, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte pakette sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 139W (Tc'de) güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 60nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok