Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFW630BTM_FP001
9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFW630
IRFW630BTM_FP001 Hakkında
IRFW630BTM_FP001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajında 9A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, maksimum 400mOhm on-state direncine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanım için uygundur. 72W'a kadar ısı yönetimiyle yüksek güç uygulamalarında güvenilir çalışma sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok