Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFW630BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFW630B
IRFW630BTM Hakkında
IRFW630BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 400mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok