Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFW610BTMFP001
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFW610
IRFW610BTMFP001 Hakkında
IRFW610BTMFP001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 200V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş gerilimi ile çalışan bu transistör, 1.5Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulur. Düşük gate charge (9.3nC @ 10V) ve input capacitance (225pF @ 25V) özellikleri ile hızlı anahtarlama gerektiren motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.65A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok