Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFU9N20D
MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFU9N20D
IRFU9N20D Hakkında
IRFU9N20D, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim ile 9.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik devrelerde kullanılır. 380mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 27nC gate charge ve 560pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251AA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok