Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU9120N

MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU9120N

IRFU9120N Hakkında

IRFU9120N, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim kapasitesine sahip bu komponent, 6.6A sürekli drenaj akımı sağlar. TO-251 (IPak) paketinde sunulan transistör, düşük On-State direnci (480mOhm @ 10V) ile enerji verimliliği sunar. 27nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç yönetimi uygulamaları, invertör devreleri, motor kontrol sistemleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) çalışabilir. 40W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 3.9A, 10V
Supplier Device Package IPAK (TO-251AA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok