Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFU9110PBF
MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFU9110
IRFU9110PBF Hakkında
IRFU9110PBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 3.1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir anahtarlama elemanıdır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, düşük 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli performans sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, 25W güç dağıtım kapasitesi ve 8.7nC gate charge özellikleri sayesinde anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok