Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFU9110
MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFU9110
IRFU9110 Hakkında
IRFU9110, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 3.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. CMOS lojik devreler, güç yönetimi, motor kontrolü ve aydınlatma uygulamalarında tercih edilir. 2.5W (Ta) ve 25W (Tc) güç dağılım kapasitesi bulunmaktadır. Devrenin hızlı anahtarlanması için 8.7nC gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok