Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU9110

3.1A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU9110

IRFU9110 Hakkında

IRFU9110, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 3.1A maksimum continuous drain akımı ile tasarlanmıştır. 1.2 Ohm on-resistance değerine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, güç anahtarlama, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve gerilim regülatörü uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltaj aralığında çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında sıcaklık işletme desteği sunarak geniş uygulama yelpazesine uygunluk sağlar. 8.7 nC gate charge ve 200 pF input kapasitans değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package TO-251AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok