Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU9010PBF

MOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU9010

IRFU9010PBF Hakkında

IRFU9010PBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source gerilimi ve 5.3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 500mΩ açık-kanal direncine sahiptir. Gate charge değeri 9.1nC olup, 240pF input kapasitansı bulunmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, 25W güç tüketim kapasitesi ile tasarlanmıştır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 4V @ 250µA threshold gerilimi ile düşük sürücü gücü gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 2.8A, 10V
Supplier Device Package TO-251AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok