Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFU5410PBF
MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFU5410
IRFU5410PBF Hakkında
IRFU5410PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 205mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate kapasite değeri 760pF olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Industrial ve automotive uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251AA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok