Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU4510PBF

MOSFET N-CH 100V 56A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU4510

IRFU4510PBF Hakkında

IRFU4510PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 56A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan transistör, 13.9mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 81nC gate charge ve 3031pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç dönüştürücü ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. ±20V gate-source gerilim sınırı ve 143W maksimum güç dissipasyonu ile çeşitli tasarım gereksinimlerini karşılar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3031 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 38A, 10V
Supplier Device Package IPAK (TO-251AA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok