Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFU430BTU
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFU430
IRFU430BTU Hakkında
IRFU430BTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim ve 3.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan transistör, 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 2.5W maksimum güç tüketimi, çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygunluğunu gösterir. ±30V gate voltajı ile kontrol edilebilen bu MOSFET, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü ve yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.75A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok