Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU430APBF

MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU430

IRFU430APBF Hakkında

IRFU430APBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan transistör, endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 1.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-251AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok