Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFU422
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFU422
IRFU422 Hakkında
IRFU422, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 500V drain-source gerilimi ve 2.2A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş gerilimi ile maksimum 4Ω on-state direnci gösterir. 19nC gate charge ve 350pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen IRFU422, 50W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok