Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFU4105ZPBF-IR
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFU4105
IRFU4105ZPBF-IR Hakkında
IRFU4105ZPBF-IR, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 55V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, 24.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde çalışır ve 27nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24.5mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251AA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok