Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFU3607TRL701P
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFU3607
IRFU3607TRL701P Hakkında
IRFU3607TRL701P, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 75V drain-source voltaj ve 56A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Gate drive voltajı 10V olup, kapıya uygulanan maksimum gerilim ±20V'dir. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanıma uygundur. 140W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3070 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok