Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU3410PBF

MOSFET N-CH 100V 31A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU3410

IRFU3410PBF Hakkında

IRFU3410PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 31A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 39mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 10V drive voltajı ile kontrol edilir ve 56nC gate charge karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package IPAK (TO-251AA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok