Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU322

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU322

IRFU322 Hakkında

IRFU322, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 400V Drain-Source gerilimi ve 2.6A sürekli drain akımı ile çalışma kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 50W güç dağıtımına kadir olup -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 2.5Ω maksimum On-State direnci ve 4V threshold gerilimi ile anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 10V gate drive voltajında optimize edilmiş tasarımı, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 1.7A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok