Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU310BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU310

IRFU310BTU Hakkında

IRFU310BTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.7A sürekli drain akımı kapasitesi ve 3.4Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-251 (IPak) paketine sahip olup, through-hole montajına uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10V sürüş gerilimi ile kontrol edilir ve 4V gate-source threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 850mA,10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok