Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFU222
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFU222
IRFU222 Hakkında
IRFU222, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 200V drain-source gerilim (Vdss) ve 3.8A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 1.2Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 18nC gate charge ve 330pF input kapasitans özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, 50W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (I-PAK) paketi ile through-hole montajına uygun olması, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmasını sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok