Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU220PBF

MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU220

IRFU220PBF Hakkında

IRFU220PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltajı ve 4.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde sıkça kullanılır. 800mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 10V gate sürüş voltajında etkinleştirilir ve maksimum 42W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.9A, 10V
Supplier Device Package TO-251AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok