Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU220N

MOSFET N-CH 200V 5A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU220N

IRFU220N Hakkında

IRFU220N, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 5A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 10V kapı geriliminde 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, AC/DC dönüştürücüler ve indüktif yük anahtarlaması gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 43W maksimum güç harcanabilir. Gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.9A, 10V
Supplier Device Package IPAK (TO-251AA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok