Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU220_R4941

MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU220

IRFU220_R4941 Hakkında

IRFU220_R4941, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi (Vdss) ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 4.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 800mOhm on-state direnci (Rds On) ile çalışır. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. Gate charge değeri 18nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında etkin kullanımı mümkündür. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.4A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok