Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU214BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU214

IRFU214BTU Hakkında

IRFU214BTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilim ve 2.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 25W güç yayınlayabilme kabiliyeti vardır. Çeşitli anahtarlama güç devreleri, motor kontrol, elektrik araç şarj sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 10.5nC gate charge ve 275pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 275 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.1A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok