Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU130ATU

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU130

IRFU130ATU Hakkında

IRFU130ATU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 110mOhm maksimum on-direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-251-3 (IPak) paket tipi ile PCB üzerine monte edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok