Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU12N25D

MOSFET N-CH 250V 14A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU12N25D

IRFU12N25D Hakkında

IRFU12N25D, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 14A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 260mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen IRFU12N25D, endüstriyel uygulamalarda, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 144W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarına uygundur. ±30V gate gerilimi aralığında güvenli şekilde çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 8.4A, 10V
Supplier Device Package IPAK (TO-251AA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok