Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFU120ATU

MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRFU120A

IRFU120ATU Hakkında

IRFU120ATU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 8.4A sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu bileşen, güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan transistör, 10V gate sürücü geriliminde 200mOhm RDS(on) direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve benzer DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate charge değeri 22nC olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar. Parça güncel üretimde bulunmamakta (Obsolete) olup arşiv kayıtlarında yer almaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.2A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok