Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFU1205PBF
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFU1205
IRFU1205PBF Hakkında
IRFU1205PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen HEXFET N-Channel Power MOSFET'tir. 55V drain-source gerilimi ve 44A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılan bir transistördür. 27mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama işlemleri sırasında düşük güç kaybı sağlar. TO-251-3 (IPak) paketi ile PCB tasarımlarında kompakt montaj imkanı sunar. Motorlar, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), hızlı anahtarlayan transformatörlü devrelerde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 107W maksimum güç tüketebilir. Gate charge'ı 65nC ile hızlı komutasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok