Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFU1018EPBF
MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFU1018
IRFU1018EPBF Hakkında
IRFU1018EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 56A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 8.4mΩ maximum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri nedeniyle DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü, güç kaynakları ve ağır akım anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilme yeteneği ve 110W güç disipasyon kapasitesi ile endüstriyel ve otoomotiv uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 47A, 10V |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251AA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok