Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFSL9N60APBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFSL9N60A
IRFSL9N60APBF Hakkında
IRFSL9N60APBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Sürekli drain akımı 9.2A olup, 750mΩ maksimum açık kanal direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde Through Hole montajı için tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 170W maksimum güç dağılım kapasitesi ile güç elektroniği, motor kontrol, anahtarlamalı güç kaynakları ve enerji dönüştürme devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Hızlı açılma/kapanma karakteristiği ve düşük input kapasitansiyle modern anahtarlama tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok