Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFSL7530PBF

MOSFET N-CH 60V 195A TO262

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IRFSL7530

IRFSL7530PBF Hakkında

IRFSL7530PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 195A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve sürücü uygulamalarında kullanılır. TO-262 paketinde sunulan bu bileşen, 2mΩ düşük on-direnci (Rds On) sayesinde enerji kaybını minimize eder. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve koruma devrelerinde uygulanabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 375W maksimum güç yayılımı kapasitesi endüstriyel ve tüketim elektroniği tasarımlarında tercih edilmesini sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13703 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package TO-262
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok