Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFSL59N10D
MOSFET N-CH 100V 59A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFSL59N10D
IRFSL59N10D Hakkında
IRFSL59N10D, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 59A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç değeri (25mOhm @ 10V) sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel sürücü devreleri gibi yüksek akım gerektiren uygulamalar için uygundur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile zorlu ortam koşullarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 35.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok