Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFSL5620PBF

MOSFET N-CH 200V 24A TO262

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IRFSL5620

IRFSL5620PBF Hakkında

IRFSL5620PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 24A sürekli drain akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 Long Leads (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 77.5mOhm maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürüş voltajında ±20V maksimum gate voltaj aralığında çalışır. -55°C ile 175°C arasında geniş sıcaklık aralığında işletme imkanı sunar. Motor denetleyici devreleri, anahtarlama kaynakları, güç yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrolçü uygulamaları gibi yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 144W güç tüketimi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-262
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok