Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFSL5615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A TO262
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFSL5615
IRFSL5615PBF Hakkında
IRFSL5615PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 33A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-262 paketinde sunulan bu bileşen, 42mOhm maksimum On-direnç değeri ile verimli enerji transferi sağlar. 10V gate sürüş geriliminde çalışan IRFSL5615PBF, -55°C ile 175°C arasında işletilir ve 144W güç tüketebilir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 144W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok