Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFSL4610PBF
MOSFET N-CH 100V 73A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFSL4610
IRFSL4610PBF Hakkında
IRFSL4610PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 73A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262 paketinde sunulan transistör, 14mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. 140nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. Maksimum 190W güç dissipasyonu yeteneğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 73A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3550 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 44A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok