Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFSL4310ZPBF

IRFSL4310 - HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IRFSL4310

IRFSL4310ZPBF Hakkında

IRFSL4310ZPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 6mΩ on-direnci, 250W maksimum güç dağılımı ve TO-262 paketlemesi ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç kaynakları ve DC-DC konverterlerinde etkin çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun hale getirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6860 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-262
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok