Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFSL4229PBF
MOSFET N-CH 250V 45A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFSL4229
IRFSL4229PBF Hakkında
IRFSL4229PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 250V drain-source voltaj ve 45A sürekli drain akımı kapasitesiyle, yüksek güç uygulamalarında anahtar görevi yapan bir yarı iletken bileşenidir. TO-262-3 paketinde sunulan bu transistör, 48mOhm maksimum on-state direncine (RDS(on)) sahiptir ve -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 330W güç yayınlama kapasitesi ile endüstriyel elektronik tasarımlarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4560 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 330W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok