Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFSL4115PBF

MOSFET N-CH 150V 195A TO262

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IRFSL4115

IRFSL4115PBF Hakkında

IRFSL4115PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj ve 195A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-262 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (12.1mOhm @ 62A, 10V) sayesinde ısı kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Güç kaynakları, motor kontrolü, enerji dönüştürme devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 375W maksimum güç dissipasyonu ile yüksek akım işlemesi gereken tasarımlara uygundur. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.1mOhm @ 62A, 10V
Supplier Device Package TO-262
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok