Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFSL3607PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFSL3607
IRFSL3607PBF Hakkında
IRFSL3607PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 75V drain-source gerilim kapasitesi ve 80A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 9mΩ on-state direnci (RDS On) sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. TO-262-3 Long Leads (I²Pak) paketinde sunulan bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 140W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3070 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok