Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFSL3507
MOSFET N-CH 75V 97A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFSL3507
IRFSL3507 Hakkında
IRFSL3507, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source voltajı ve 97A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu komponent, 8.8mΩ (Vgs=10V, Id=58A) düşük on-resistance değeriyle verimliliği artırır. Gate charge 130nC olup ±20V Vgs seviyesine kadar çalışabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu FET, endüstriyel motorlar, güç kaynakları, PWM kontrolörleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 190W güç disipasyonu kapasitesi vardır. Komponent şu anda üretim dışı durumda olup, yedek parça uygulamalarında bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 97A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3540 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 58A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok